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El sucesor de flash podría almacenar 1.000 veces más datos

La humilde unidad USB podría almacenar muchos más datos en los próximo dos años.


Una nueva tecnología de memoria, desarrollada en la universidad estatal de Arizona, podría ofrecer densidades de almacenamiento hasta 1.000 veces mayores que la memoria flash existente.

Los investigadores desarrollaron la tecnología, conocida como celda de metalización programable (PMC), para contrarrestar los límites físicos de la tecnología actual de memoria de almacenamiento. En lugar del enfoque tradicional de la electrónica que consiste en desplazar los electrones entre iones (partículas cargadas), las celdas PMC emplean una tecnología conocida como nanoiónica para que sean los propios iones los que se desplacen.

Lo mejor es que la nueva técnica puede usarse con los materiales de almacenamiento convencionales existentes mezclados de una forma ligeramente distinta a como se hace hoy. Según el equipo de Arizona State, esta memoria puede hacerse esencialmente a cero costo adicional comparada con la memoria flash, lo que significa que las nuevas unidades de enorme capacidad podrían tener precios razonables.

Los primeros productos comerciales que emplean la tecnología PMC podrían aparecer en unos 18 meses. PMC ha atraído ya el interés de varios fabricantes de memoria, como Micron Technology. IBM, Samsung y Sony también han expresado interés en la tecnología.

-Maxwell Cooter

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